| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1126/science.1176112 |
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| Auteur | Rechercher : Gabor, N. M.; Rechercher : Zhong, Z.; Rechercher : Bosnick, K.1; Rechercher : Park, J.; Rechercher : Mceuen, P. L. |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Nanotechnologie
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| Format | Texte, Article |
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| Résumé | We observed highly efficient generation of electron-hole pairs due to impact excitation in single-walled carbon nanotube p-n junction photodiodes. Optical excitation into the second electronic subband E22 leads to striking photocurrent steps in the device I-VSD characteristics that occur at voltage intervals of the band-gap energy EGAP/e. Spatially and spectrally resolved photocurrent combined with temperature-dependent studies suggest that these steps result from efficient generation of multiple electron-hole pairs from a single hot E22 carrier. This process is both of fundamental interest and relevant for applications in future ultra-efficient photovoltaic devices. |
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| Date de publication | 2009-09-11 |
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| Maison d’édition | American Association for the Advancement of Science |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 23004848 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 88fa6943-fd8a-4d66-a443-827d11cc7bcf |
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| Enregistrement créé | 2019-01-03 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-16 |
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