Electrically tunable effective g-factor of a single hole in a lateral GaAs/AlGaAs quantum dot

Par Conseil national de recherches du Canada

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DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1038/s42005-019-0262-1
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Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Technologies de sécurité et de rupture
FormatTexte, Article
Sujetelectronic and spintronic devices; quantum information; qubits
Résumé
Date de publication
Maison d’éditionNature Research
Licence
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
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Identificateur de l’enregistrement8b1e3a75-96c5-4092-89d1-fc4622d85218
Enregistrement créé2020-11-24
Enregistrement modifié2021-02-09
Date de modification :