| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.111584 |
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| Auteur | Rechercher : Allard, L. B.1; Rechercher : Aers, G. C.1; Rechercher : Piva, P. G.1; Rechercher : Poole, P. J.1; Rechercher : Buchanan, M.1; Rechercher : Templeton, I. M.1; Rechercher : Jackman, T. E.1; Rechercher : Charbonneau, S.1; Rechercher : Akano, U.; Rechercher : Mitchell, I. V. |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Résumé | We have determined the threshold dose for 8 MeV Bi+ ions to induce intermixing of GaAs quantum wells in AlGaAs and InGaAs quantum wells in GaAs after rapid thermal annealing at 850 �C. Our measured threshold for the GaAs/AlGaAs system agrees well with previous work. The threshold for the InGaAs/GaAs system is much lower and explains, at least in part, earlier difficulties in the lateral patterning of nanostructures by focused-ion-beam lithography. |
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| Date de publication | 1994-05-02 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Numéro NPARC | 12337877 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 8b757548-4e70-4c19-9724-1c7ec27619dc |
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| Enregistrement créé | 2009-09-10 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-27 |
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