Bias Stress Measurements on High Performance AlGaN/GaN HFET Devices

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1002/1521-396X(200111)188:1<233::AID-PSSA233>3.0.CO;2-0
AuteurRechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 2
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
  2. Conseil national de recherches du Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Maison d’éditionWiley
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC12744530
Exporter la noticeExporter en format RIS
Signaler une correctionSignaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet)
Identificateur de l’enregistrement8e729b97-8eca-462f-914f-deb0c1bf1ddc
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2020-03-27
Date de modification :