Weak antilocalization effect in high-mobility two-dimensional electron gas in an inversion layer on p-type HgCdTe

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.3615303
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
SujetBallistic regime; Dephasing rates; HgCdTe; HgCdTe films; High mobility; Inversion layer; Magnetoconductance; Nyquist; P-type; Phase coherence; Quantum Hall effect; Spin splittings; Strong magnetic fields; Sub-bands; Temperature dependence; Two-dimensional electron gas (2DEG); Weak antilocalization; Weak magnetic fields; Zero fields; Hall effect; Magnetic fields; Mercury compounds; Two dimensional; Two dimensional electron gas
Résumé
Date de publication
Maison d’éditionAIP
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC21271279
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Identificateur de l’enregistrement9f2c086f-fc10-43d6-84d4-b15c225e444d
Enregistrement créé2014-03-24
Enregistrement modifié2020-04-21
Date de modification :