DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.3615303 |
---|
Auteur | Rechercher : Yang, R.; Rechercher : Gao, K.; Rechercher : Wei, L.; Rechercher : Liu, X.; Rechercher : Hu, G.; Rechercher : Yu, G.; Rechercher : Lin, T.; Rechercher : Guo, S.; Rechercher : Wei, Y.; Rechercher : Yang, J.; Rechercher : He, L.; Rechercher : Dai, N.; Rechercher : Chu, J.; Rechercher : Austing, D. G.1 |
---|
Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
|
---|
Format | Texte, Article |
---|
Sujet | Ballistic regime; Dephasing rates; HgCdTe; HgCdTe films; High mobility; Inversion layer; Magnetoconductance; Nyquist; P-type; Phase coherence; Quantum Hall effect; Spin splittings; Strong magnetic fields; Sub-bands; Temperature dependence; Two-dimensional electron gas (2DEG); Weak antilocalization; Weak magnetic fields; Zero fields; Hall effect; Magnetic fields; Mercury compounds; Two dimensional; Two dimensional electron gas |
---|
Résumé | Magnetoconductance of a gated two-dimensional electron gas (2DEG) in an inversion layer on a p-type HgCdTe film is investigated. At strong magnetic fields, characteristic features such as the quantum Hall effect of a 2DEG with single subband occupation are observed. At weak magnetic fields, the weak antilocalization effect in the ballistic regime is observed. Phase coherence time and zero-field spin-splitting are extracted following Golub's model L. E. Golub, Phys. Rev. B 71, 235310 (2005). The temperature dependence of the dephasing rate is consistent with the Nyquist mechanism. |
---|
Date de publication | 2011-07-26 |
---|
Maison d’édition | AIP |
---|
Dans | |
---|
Langue | anglais |
---|
Publications évaluées par des pairs | Oui |
---|
Numéro NPARC | 21271279 |
---|
Exporter la notice | Exporter en format RIS |
---|
Signaler une correction | Signaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet) |
---|
Identificateur de l’enregistrement | 9f2c086f-fc10-43d6-84d4-b15c225e444d |
---|
Enregistrement créé | 2014-03-24 |
---|
Enregistrement modifié | 2020-04-21 |
---|