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Radon monitor using alpha-detecting CMOS IC

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1109/SAS.2016.7479856
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
FormatTexte, Article
Conférence2016 IEEE Sensors Applications Symposium (SAS), April 20-22, 2016, Catania, Italy
Résumé
A radon monitor based on a 3 mm×3 mm alpha-detecting IC fabricated in a foundry CMOS process is reported. The alpha-detecting IC consists of a 16×16 array of pn junction diodes (sense diodes) that are precharged in reverse bias and then allowed to electrically float. Radon progeny is collected on the IC using an electrostatic concentrator. On-chip comparators detect the voltage change induced in a sense diode by an alpha particle emission from collected progeny. The comparator outputs are monitored by a microcontroller which processes the data and transmits it to a microcomputer using Bluetooth. The monitor has a sensitivity of 1.25 counts per hour per 100 Bq/m3 of radon activity. The monitor appears suitable for mass production at very low cost.
Date de publication
Maison d’éditionIEEE
Dans
  • 2016 IEEE Sensors Applications Symposium (SAS) : 1–5.
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Publication du CNRC
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Numéro NPARC23001037
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Identificateur de l’enregistrementa6418d06-b70b-47f7-a42a-f22e63bdb959
Enregistrement créé2016-12-02
Enregistrement modifié2020-03-16
Date de modification :