DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1016/0039-6028(88)90680-2 |
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Auteur | Rechercher : D'Iorio, M.1; Rechercher : Sachrajda, A.S.1; Rechercher : Landheer, D.1; Rechercher : Buchanan, M.1; Rechercher : Moore, T.1; Rechercher : Miner, C.J.; Rechercher : Springthorpe, A.J. |
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Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada
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Format | Texte, Article |
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Résumé | We have studied the breakdown characteristics of a narrow two-dimensional electron gas channel in GaAs/AlGaAs heterostructures over a wide temperature range before and after illumination. We report on the behaviour of the breakdown current, the asymmetry of the Shubnikov-de Haas oscilations and the appearance of step-like structures in the diagonal resistivity πvv. The step-like features are not consistent with a quasi-elastic inter Landau level scattering mechanism. © 1987. |
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Date de publication | 1988 |
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Dans | |
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Langue | anglais |
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Publications évaluées par des pairs | Oui |
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Numéro NPARC | 21274637 |
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Identificateur de l’enregistrement | ad17e871-4625-41c9-8ae8-f6984c6cba4b |
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Enregistrement créé | 2015-03-18 |
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Enregistrement modifié | 2020-03-17 |
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