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The mechanism of photoenhanced wet etching of GaN

Par Conseil national de recherches du Canada

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Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
ConférenceSymposium on III-Nitride Based Semiconductor Electronic and Optical Devices and the 34th State-of-the-Art Program on compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXVI), 25-30 March 2001, Washington, DC, USA
Date de publication
Dans
  • III-Nitride Based Semiconductor Electronic and Optical Devices and Thirty-fourth State-of-the-Art Program on compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXVI) (2001) : 193–203.
Série
  • Electrochemical Society Proceedings 2001-1.
Langueanglais
Numéro NPARC12327408
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Identificateur de l’enregistrementae2ddb92-f6cb-424f-9328-159f75e05f00
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2020-03-27
Date de modification :