Liquid phase epitaxial growth and characterization of high quality GaInAsSb/InAs for photodiodes
Liquid phase epitaxial growth and characterization of high quality GaInAsSb/InAs for photodiodes
Auteur | Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : |
---|---|
Format | Texte, Article |
Conférence | Proceedings of the 9th International Conference on Ternary and Multinary Compounds : ICTMC-9, August 8-12, 1993, Yokohama, Japan |
ISSN | 0021-4922 |
Langue | anglais |
Numéro du CNRC | NRC-INMS-1161 |
Numéro NPARC | 8899600 |
Exporter la notice | Exporter en format RIS |
Signaler une correction | Signaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet) |
Identificateur de l’enregistrement | b388fb2b-4516-4e8e-935b-088d7b99500b |
Enregistrement créé | 2009-04-22 |
Enregistrement modifié | 2020-04-16 |
- Date de modification :