Liquid phase epitaxial growth and characterization of high quality GaInAsSb/InAs for photodiodes

Par Conseil national de recherches du Canada

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FormatTexte, Article
ConférenceProceedings of the 9th International Conference on Ternary and Multinary Compounds : ICTMC-9, August 8-12, 1993, Yokohama, Japan
ISSN0021-4922
Langueanglais
Numéro du CNRCNRC-INMS-1161
Numéro NPARC8899600
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Identificateur de l’enregistrementb388fb2b-4516-4e8e-935b-088d7b99500b
Enregistrement créé2009-04-22
Enregistrement modifié2020-04-16
Date de modification :