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Electron beam patterning with carboneous contamination rezists below 10 nm linewidth

Par Conseil national de recherches du Canada

AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
FormatTexte, Article
Conférence49th International Symposium of the American Vacuum Society, November 3-8, 2002, Denver, Colorado
Résumé
We have studied the processes determining the resolution limits of contamination patterning in a transmission electron microscope (TEM) as a means to produce magnetic nanostructures. By optimizing the exposure parameters we achieved linewidth of 7 nm. Sputter etch was used to transfer the pattern to cobalt, permalloy and bismuth films on silicon nitride membranes. Previously the resolution of the technique was determined by the crystallite size of the patterned film. We have investigated patterning of our structures within one large crystallite and we have studied the limitations dictated by the kinetics of the surface diffusion processes. A comparison of pattern writing at conditions when importance of surface diffusion is suppressed (high dose rate and high writing speed) with diffusion controlled writing (slow writing at low dose rate) was made. We have explored the reproducibility and suitability of different types of materials for precontaminating the samples. Transmission electron microscopy, electron holography, electron energy loss spectroscopy and high resolution TEM was used to characterize structure and to study properties of such structures.
Date de publication
Maison d’éditionAmerican Vacuum Society
Dans
  • AVS 49th International Symposium.
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Publication du CNRC
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IdentificateurPN-ThA2
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Identificateur de l’enregistrementb7bf28cb-630d-4666-9d77-9ea265cf511e
Enregistrement créé2020-10-08
Enregistrement modifié2020-10-08
Date de modification :