| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1117/12.206336 |
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| Auteur | Rechercher : Norman, Carl E.; Rechercher : Pratt, A. R.; Rechercher : Fahy, M. R.; Rechercher : Williams, Robin L.; Rechercher : Marinopoulou, A.; Rechercher : Chatenoud, F.1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Conférence | Circular-grating light-emitting sources, San Jose, California, USA, February 6, 1995 |
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| Résumé | The phenomenon of indium migration off the sidewalls of features on patterned GaAs substrates during MBE growth has been studied. The level of migration depends strongly on the arsenic flux and the growth temperature. Modulating the arsenic flux during the growth of multilayer structures allows the number of active quantum wells to vary from one region of a device to another. |
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| Date de publication | 1995 |
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| Dans | |
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| Série | |
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| Langue | anglais |
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| Numéro NPARC | 12337959 |
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| Identificateur de l’enregistrement | b937120b-7784-4964-9461-e1a49c778a58 |
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| Enregistrement créé | 2009-09-10 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-29 |
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