Five-band bias-selectable integrated quantum well detector in an n-p-n architecture

Par Conseil national de recherches du Canada

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DOI	Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.3524236
Auteur	Rechercher : Ariyawansa, G.¹; Rechercher : Aytac, Y.¹; Rechercher : Perera, A. G. U.¹; Rechercher : Matsik, S. G.¹; Rechercher : Buchanan, M.²; Rechercher : Wasilewski, Z. R.²; Rechercher : Liu, H.C.²
Affiliation	Conseil national de recherches du Canada Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
Format	Texte, Article
Résumé	A detector with five bands covering visible to long-wave infrared is demonstrated using a GaAs-based n-p-n-architecture. The major elements are two back-to-back connected p-i-n photodiodes with InGaAs/GaAs and GaAs/AlGaAs-based quantum wells integrated within the n-regions. At 80 K, a preliminary detector shows two combinations of bands, each responding in three bands, covering the 0.6–0.8, 3–4, and 4–8 um ranges and the 0.8–0.9, 0.9–1.0, and 9–13 um ranges. A good selection of these two combinations based on the bias voltage polarity is observed. A similar four-band detector without any cross-talk between the bands is proposed using In0.53Ga0.47As/InP material system.
Date de publication	2010-12-06
Dans	Applied Physics Letters 97, nº 231102 (6 décembre 2010) : 1–3.
Langue	anglais
Publications évaluées par des pairs	Oui
Numéro NPARC	17379824
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Identificateur de l’enregistrement	be7e1fe2-db5e-439b-84de-a903413a09be
Enregistrement créé	2011-03-23
Enregistrement modifié	2020-04-17

Date de modification :: 2024-07-02