ADF-STEM imaging of strained GaN0045As0955 epitaxial layers on 100 GaAs substrates

Par Conseil national de recherches du Canada

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FormatTexte, Article
ConférenceMater Res Soc Sym
Numéro NPARC12346425
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Identificateur de l’enregistrementc0eb470e-78b9-44e3-8a1e-c791c9c6c7f4
Enregistrement créé2009-09-17
Enregistrement modifié2020-04-16
Date de modification :