| Téléchargement | - Voir la version finale : Controlled coupling and occupation of silicon atomic quantum dots at room temperature (PDF, 707 Kio)
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| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.102.046805 |
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| Auteur | Rechercher : Haider, M. Baseer1; Rechercher : Pitters, Jason L.1; Rechercher : Dilabio, Gino A.1; Rechercher : Livadaru, Lucian1; Rechercher : Mutus, Josh Y.1; Rechercher : Wolkow, Robert A.1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Nanotechnologie
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| Format | Texte, Article |
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| Résumé | It is demonstrated that the silicon atom dangling bond (DB) state serves as a quantum dot. Coulomb repulsion causes DBs separated by ≲ 2nm to exhibit reduced localized charge, which enables electron tunnel coupling of DBs. Scanning tunneling microscopy measurements and theoretical modeling reveal that fabrication geometry of multi-DB assemblies determines net occupation and tunnel coupling strength among dots. Electron occupation of DB assemblies can be controlled at room temperature. Electrostatic control over charge distribution within assemblies is demonstrated. |
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| Date de publication | 2009-01-27 |
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| Maison d’édition | American Physical Society |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 23004619 |
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| Exporter la notice | Exporter en format RIS |
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| Identificateur de l’enregistrement | c1c6c407-12ec-447d-bf38-23a5ee6ab935 |
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| Enregistrement créé | 2018-11-28 |
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| Enregistrement modifié | 2020-05-30 |
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