Selective growth and ordering of SiGe nanowires for band gap engineering

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1088/0957-4484/25/33/335303
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Science des mesures et étalons
FormatTexte, Article
Sujetnanowires (NWs); ordering; molecular beam epitaxy (MBE); selective growth; focused ion beam (FIB) patterning; photoluminescence
Résumé
Date de publication
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC21272879
Exporter la noticeExporter en format RIS
Signaler une correctionSignaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet)
Identificateur de l’enregistrementc1ff37d8-aef1-4549-abea-7d6c8fc544a2
Enregistrement créé2014-12-03
Enregistrement modifié2020-04-22
Date de modification :