| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1117/1.OE.57.1.011021 |
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| Auteur | Rechercher : Rassel, S. M. Shazzad; Rechercher : Li, Lu; Rechercher : Li, Yiyun; Rechercher : Yang, Rui Q.; Rechercher : Gupta, James A.1; Rechercher : Wu, Xiaohua1; Rechercher : Aers, Geof C.2 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Électronique et photonique avancées
- Conseil national de recherches du Canada. Technologies de sécurité et de rupture
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| Format | Texte, Article |
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| Sujet | interband cascade laser; type-II quantum well; midinfrared; InAs |
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| Résumé | InAs-based interband cascade (IC) lasers with improved optical confinement have achieved high-temperature operation with a threshold current density as low as 333 A∕cm2 at 300 K for emission at 6003 nm. The threshold current density is the lowest ever reported among semiconductor midinfrared lasers at similar wavelengths. These InAs-based IC devices lased in pulsed mode at temperatures up to 357 K near 6.28 μm. A narrow-ridge device was able to operate in continuous-wave mode at temperatures up to 293 K at 6.01 μm. |
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| Date de publication | 2018-01-01 |
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| Maison d’édition | Society of Photo-optical Instrumentation Engineers |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 23003691 |
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| Identificateur de l’enregistrement | c275458a-582c-487a-9b01-e41a91598629 |
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| Enregistrement créé | 2018-07-31 |
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| Enregistrement modifié | 2020-03-16 |
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