Properties of 1.3 µm InGaNAs Laser Material Grown by MBE Using an N2/Ar RF Plasma

DOI	Trouver le DOI : https://doi.org/10.1016/S0038-1101(02)00379-9
Auteur	Rechercher : Gupta, J. A.; Rechercher : Barrios, P. J.; Rechercher : Aers, Geoffrey¹; Rechercher : Williams, Robin¹; Rechercher : Ramsey, Jordan²; Rechercher : Wasilewski, Zbigniew¹
Affiliation	Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC Conseil national de recherches du Canada. Institut national de nanotechnologie
Format	Texte, Article
Date de publication	2003
Dans	Solid State Electronics 47, nº 3 (2003) : 399–405.
Numéro NPARC	12743931
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Identificateur de l’enregistrement	c33b3e37-9e34-4f48-a116-8350053e3988
Enregistrement créé	2009-10-27
Enregistrement modifié	2020-04-02