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Laser‐compatible InGaAs/GaAs strained layer waveguide electroabsorption modulators

Par Conseil national de recherches du Canada

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  1. (PDF, 11.6 Mio)
DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.105764
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Résumé
We report single and double quantum well electroabsorption waveguide modulators that achieve exceptional performance as both lasers and modulators. Contrast ratios of 19 and 26 dB for a 400 μm long device have been achieved for the single and double well samples, respectively. When operated as lasers, the devices exhibit broad area threshold current densities of 56 A/cm2 and 87 A/cm2 for the single and double well samples, for cavity lengths longer than 3 mm. In addition, measurements of lasing wavelength versus cavity length show that both devices can operate as lasers at wavelengths compatible with their respective modulator performance.
Date de publication
Maison d’éditionAIP Publishing
Dans
  • Applied Physics Letters 59, nº 24 : 3139–3141.
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC23003870
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Identificateur de l’enregistrementc612b53a-148f-4950-b4cf-5affe1c8e6e3
Enregistrement créé2018-08-17
Enregistrement modifié2020-03-17
Date de modification :