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Infrared Dielectric Properties of In1-xGaxAs Epilayers on InP100

Par Conseil national de recherches du Canada

Autre titreProgress in compound semiconductor materials III: electronic and optoelectronic applications
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : 1
ÉditeurRechercher : Friedman, Daniel; Rechercher : Manasreh, Omar; Rechercher : Buyanova, Irina; Rechercher : Munkholm, Anneli; Rechercher : Auret, F.
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Maison d’éditionMRS
EmplacementPittsburgh, PA
Dans
  • Progress in Compound Semiconductors III: Electronic and Optoelectronic Applications : 179–.
Série
  • MRS Symposium Proceedings, nº 799.
Numéro NPARC12346291
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Identificateur de l’enregistrementcb091a65-ab54-4561-bf09-0d1e362e13ad
Enregistrement créé2009-09-17
Enregistrement modifié2020-05-08
Date de modification :