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Quantum-well intermixing for optoelectronic integration using high energy ion implantation

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.359948
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Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Sujetabsorption spectra; fabrication; gallium arsenides; heterostructures; indium arsenides; integrated optics; ion implantation; lasers; optoelectronic devices; photoluminescence; quantum wells
Résumé
The technique of ion-induced quantum-well (QW) intermixing using broad area, high energy (2–8 MeV As4+) ion implantation has been studied in a graded-index separate confinement heterostructure InGaAs/GaAs QW laser. This approach offers the prospect of a powerful and relatively simple fabrication technique for integrating optoelectronic devices. Parameters controlling the ion-induced QW intermixing, such as ion doses, fluxes, and energies, post-implantation annealing time, and temperature are investigated and optimized using optical characterization techniques such as photoluminescence, photoluminescence excitation, and absorption spectroscopy.
Date de publication
Dans
  • Journal Of Applied Physics 78, nº 6 (7 juin 1995) : 3697–3705.
Langueanglais
Numéro NPARC12333596
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Identificateur de l’enregistrementcbd67fca-bd55-4420-b172-9e84dfa6bff5
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2020-04-29
Date de modification :