Tunneling leakage in ultrashort-channel MOSFETs: from atomistics to continuum modeling
Tunneling leakage in ultrashort-channel MOSFETs: from atomistics to continuum modeling
DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108438 |
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Bailleur de fonds | Rechercher : National Research Council Canada; Rechercher : Fonds de recherche du Québec – Nature et technologies; Rechercher : Natural Sciences and Engineering Research Council of Canada; Rechercher : Alliance de recherche numérique du Canada |
Format | Texte, Article |
Sujet | ultrashort-channel MOSFET; direct source-to-drain tunneling; bound-charge engineering; nonequilibrium Green’s function formalism; atomistics; finite-element method |
Résumé | |
Date de publication | 2022-08-24 |
Maison d’édition | Elsevier BV |
Dans | |
Langue | anglais |
Publications évaluées par des pairs | Oui |
Identificateur | S0038110122002106 |
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Identificateur de l’enregistrement | cdef1f7a-9978-4e73-8a58-c2e4d284cc3d |
Enregistrement créé | 2023-07-17 |
Enregistrement modifié | 2023-07-18 |
- Date de modification :