| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.361108 |
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| Auteur | Rechercher : McKinnon, W. R.1; Rechercher : McAlister, S. P.1; Rechercher : Abid, Z.1; Rechercher : Guzzo, E. E.1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Sujet | BIPOLAR TRANSISTORS; CURRENT DENSITY; DIFFUSION LENGTH; FABRICATION; FERMI STATISTICS; GALLIUM ARSENIDES; HETEROSTRUCTURES; IMPURITIES; INDIUM ARSENIDES; INDIUM PHOSPHIDES |
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| Résumé | The one-flux analysis of double-heterostructure bipolar transistors with composite collectors in the preceding article W. R. McKinnon, J. Appl. Phys. 79, 2762 (1996) is compared to drift-diffusion calculations and to measurements on InP/InGaAs/InP/composite collectors-double heterostructure bipolar transistors. For quantitative agreement we include the effects of ionized impurities in the space-charge regions, and an approximate treatment of Fermi舑Dirac statistics. |
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| Date de publication | 1996-03-01 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Numéro NPARC | 12330781 |
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| Identificateur de l’enregistrement | d014c67a-1f39-4b67-81dd-1c8d173861f2 |
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| Enregistrement créé | 2009-09-10 |
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| Enregistrement modifié | 2020-03-20 |
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