High mobility two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterostructures grown on bulk GaN by plasma assisted molecular beam epitaxy

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.1873056
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 2; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut de biotechnologie des plantes du CNRC
  2. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC12743988
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Identificateur de l’enregistrementd6998966-538c-43cb-865c-0ff78e062cd1
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2023-05-10
Date de modification :