Electron irradiation induced defects and schottky diode characteristics for metalorganic vapor phase epitaxy and molecular beam epitaxial n-GaAs

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1007/BF02659720
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Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
FormatTexte, Article
Résumé
Date de publication
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC12338679
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Identificateur de l’enregistrementd92d68c3-4021-4476-ae08-9e679f5fa82b
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2020-04-29
Date de modification :