| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2010.12.084 |
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| Auteur | Rechercher : Marshall, Gregory M.1; Rechercher : Bensebaa, Farid1; Rechercher : Dubowski, Jan J. |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut de technologie des procédés chimiques et de l'environnement du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Sujet | Self-assembled monolayers; X-ray photoelectron spectroscopy; Surface Fermi level; GaAs |
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| Résumé | The surface Fermi level of semi-insulating and n⁺-type GaAs(0 0 1) was determined before and after passivation with n-alkanethiol self-assembled monolayers (SAMs) by X-ray photoelectron spectroscopy. Fermi level positioning was achieved using Au calibration pads integrated directly onto the GaAs surface, prior to SAM deposition, in order to provide a surface equipotential binding energy reference. Fermi level pinning within 50 meV and surface barrier characteristics according to the Advanced Unified Defect Model were observed. Our results demonstrate the effectiveness of the Au integration technique for the determination of band-edge referenced Fermi level positions and are relevant to an understanding of emerging technologies based on the molecular–semiconductor junction. |
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| Date de publication | 2010-12-21 |
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| Maison d’édition | Elsevier |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro du CNRC | NRCC 53018 |
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| Numéro NPARC | 20607215 |
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| Exporter la notice | Exporter en format RIS |
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| Identificateur de l’enregistrement | de754826-7e40-4ef2-bd47-0b622dfae556 |
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| Enregistrement créé | 2012-09-14 |
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| Enregistrement modifié | 2021-07-30 |
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