Design of thin InGaAsN(Sb) n - i - p junctions for use in four-junction concentrating photovoltaic devices

Par Conseil national de recherches du Canada

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DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1117/1.JPE.7.022502
AuteurRechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Électronique et photonique avancées
FormatTexte, Article
Résumé
Date de publication
Maison d’éditionSociety of Photo-optical Instrumentation Engineers
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC23002690
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Identificateur de l’enregistremente7c07e6d-fdaa-432b-9de5-1d417eac1341
Enregistrement créé2017-12-20
Enregistrement modifié2020-05-30
Date de modification :