Auteur | Rechercher : Gupta, J.A.1; Rechercher : Barrios, P.J.1; Rechercher : Bezinger, A.1; Rechercher : Waldron, P.1 |
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Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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Format | Texte, Article |
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Conférence | 2012 Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2012, 6 May 2012 through 11 May 2012, San Jose, CA |
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Sujet | Active regions; Continuous wave modes; Continuous wave operation; InGaAsSb; Light output; Ridge waveguide lasers; Gallium alloys; Lasers; Ridge waveguides; Quantum well lasers |
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Résumé | Narrow ridge waveguide (5um) laser diodes were fabricated using type-I InGaAsSb/AlInGaAsSb quantum well active regions on GaSb. The devices operate in continuous-wave mode near 3254nm with a total light output of 7.4mW at 20°C (uncoated facets). © 2012 OSA. |
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Date de publication | 2012 |
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Dans | |
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Langue | anglais |
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Publications évaluées par des pairs | Oui |
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Numéro NPARC | 21269466 |
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Identificateur de l’enregistrement | eac845fa-4512-40c6-adac-5e16dbd1a373 |
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Enregistrement créé | 2013-12-12 |
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Enregistrement modifié | 2020-04-21 |
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