Local microstructures of Si in GaN studied by X-ray absorption spectroscopy

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.124439
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : 2; Rechercher : 2
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
  2. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Sujetdoping profiles; gallium compounds; III-V semiconductors; semiconductor doping; silicon; wide band gap semiconductors; X-ray absorption spectra
Résumé
Date de publication
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC12332905
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Identificateur de l’enregistrementeba24787-0fb8-471d-a94a-23d863170f52
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2023-05-10
Date de modification :