Strong field processes inside gallium arsenide

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1088/0953-4075/47/20/204025
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 2; Rechercher : 2; Rechercher : 2; Rechercher : 2; Rechercher : 1; Rechercher : 2
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada
  2. Conseil national de recherches du Canada. Technologies de sécurité et de rupture
FormatTexte, Article
Sujetsemiconductor materials; GaAs; strong field; ultra-fast; ionization
Résumé
Date de publication
Maison d’éditionIOP Publishing
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC21276153
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Identificateur de l’enregistrementee388b42-4349-4e7e-bee8-7a9290f5b33a
Enregistrement créé2015-09-28
Enregistrement modifié2023-08-11
Date de modification :