Polarization-insensitive MMI-coupled ring resonators in silicon-on-insulator using cladding stress engineering
Polarization-insensitive MMI-coupled ring resonators in silicon-on-insulator using cladding stress engineering
DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1117/12.701997 |
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Affiliation |
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Format | Texte, Article |
Conférence | Integrated Optoelectronic Devices 2007, 2007, San Jose, California, United States |
Dans | |
Série | |
Langue | anglais |
Publications évaluées par des pairs | Oui |
Numéro NPARC | 12346756 |
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Identificateur de l’enregistrement | eeda39ad-b7b8-425e-a45e-b5ad7a306f58 |
Enregistrement créé | 2009-09-17 |
Enregistrement modifié | 2020-04-16 |
- Date de modification :