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Near-room-temperature mid-infrared quantum well photodetector

Par Conseil national de recherches du Canada

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  1. (PDF, 681 Kio)
DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1002/adma.201103372
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
SujetPhotovoltaic infrared imaging; intersubband quantum wells; gas sensing; micro-optoelectronics; photodetector noise
Résumé
We demonstrate InGaAs mid-infrared quantum well infrared photodetectors (MIR PV-QWIPs) that enable cost-effective mature GaAs-based detection and imaging technologies, with exceptional material uniformity, reproducibility, and yield, over a large area, with high spectral selectivity, innate polarization sensitivity, radiation hardness, high detectivity, and high speed operation at TEC temperatures without bias.
Date de publication
Dans
  • Advanced Materials 23, nº 46 (3 novembre 2011) : 5536–5539.
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC19371555
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Identificateur de l’enregistrementf13be6f4-450d-40ea-a970-bec343c15db9
Enregistrement créé2012-02-29
Enregistrement modifié2020-04-21
Date de modification :