Effect of doped substrate on GaAs/AlGaAs interfacial workfunction IR detector response through cavity enhancement

DOI	Trouver le DOI : https://doi.org/10.1109/TED.2005.843876
Auteur	Rechercher : Matsik, S. G.; Rechercher : Rinzan, M. B.; Rechercher : Esaev, D. G.; Rechercher : Perera, A. G.; Rechercher : von Winckel, G.; Rechercher : Stintz, A.; Rechercher : Krishna, S.; Rechercher : Liu, Hui¹; Rechercher : Byloos, M. D.; Rechercher : Oogarah, T.; Rechercher : Sproule, G¹; Rechercher : Liu, Kan-Zhi²; Rechercher : Buchanan, Margaret¹
Affiliation	Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC Conseil national de recherches du Canada. Institut du biodiagnostic du CNRC
Format	Texte, Article
Date de publication	2005
Dans	IEEE Transactions on Electron Devices 52, nº 3 (2005) : 413–418.
Numéro NPARC	12743855
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Identificateur de l’enregistrement	f2e92dca-ecd5-4f5f-a177-4fdd4ed99dac
Enregistrement créé	2009-10-27
Enregistrement modifié	2020-04-07