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Spatially-resolved EELS and EDS of HfOxNy Gate Dielectrics Deposited by MOCVD using [C2H52N]4Hf with NO and O2

Par Conseil national de recherches du Canada

AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
ConférenceMicroscopy & Microanalysis 2004, Aug 04
Date de publication
Dans
  • Microscopy & Microanalysis 2004, Aug 04 [Proceedings] (2004) : p606–.
Numéro NPARC12346290
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Identificateur de l’enregistrementf42b882a-cdb8-4fa7-923e-532ce4f49a1d
Enregistrement créé2009-09-17
Enregistrement modifié2020-04-17
Date de modification :