Free-carrier absorption in Be-and C-doped GaAs epilayers and far infrared detector applications

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.1347002
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC12744054
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Identificateur de l’enregistrement0161f02e-d6ff-47c5-8126-f64df846b032
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2023-04-17
Date de modification :