| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1088/0268-1242/10/1/007 |
|---|
| Auteur | Rechercher : Lenchyshyn, L. C.1; Rechercher : Liu, H. C.1; Rechercher : Buchanan, M.1; Rechercher : Wasilewski, Z. R.1 |
|---|
| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
|
|---|
| Format | Texte, Article |
|---|
| Résumé | We demonstrate the detection of mid-wavelength (3-5 mu m) infrared radiation by intersubband transitions in InxGa1-xAs/Al0.45Ga0.55As multiple quantum well structures grown on GaAs substrates. The peak detector response is shifted from 4.8 to 4.3 mu m by increasing the indium fraction from x=0.05 to x=0.20, while simultaneously decreasing the well width to keep the first excited eigenstate near the top of the wells. These detectors can be combined in detector stacks with conventional long-wavelength (8-12 mu m) infrared quantum well detectors for multi-band imaging applications. |
|---|
| Date de publication | 1995 |
|---|
| Dans | |
|---|
| Langue | anglais |
|---|
| Numéro NPARC | 12327336 |
|---|
| Exporter la notice | Exporter en format RIS |
|---|
| Signaler une correction | Signaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet) |
|---|
| Identificateur de l’enregistrement | 01ec7b99-c94b-4b93-befd-860db5622e97 |
|---|
| Enregistrement créé | 2009-09-10 |
|---|
| Enregistrement modifié | 2020-04-29 |
|---|
