Compositional control in molecular beam epitaxy growth of GaNyAs1-y on GaAs (0 0 1) using an Ar/N2 RF plasma

DOI	Trouver le DOI : https://doi.org/10.1016/S0022-0248(02)01422-7
Auteur	Rechercher : Gupta, J. A.; Rechercher : Wasilewski, Zbigniew¹; Rechercher : Riel, B. J.; Rechercher : Ramsey, Jordan²; Rechercher : Aers, Geoffrey¹; Rechercher : Williams, Robin¹; Rechercher : Sproule, G¹; Rechercher : Perovic, A.; Rechercher : Perovic, D. D.; Rechercher : Garanzotis, T.; Rechercher : Springthorpe, Anthony¹
Affiliation	Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC Conseil national de recherches du Canada. Institut national de nanotechnologie
Format	Texte, Article
Date de publication	2002
Dans	Journal of Crystal Growth 242, nº 1-2 (2002) : 141–164.
Numéro NPARC	12743807
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Identificateur de l’enregistrement	03422d5e-d054-47c2-93d2-193bb1de4fc4
Enregistrement créé	2009-10-27
Enregistrement modifié	2020-03-30