| Téléchargement | - Voir le manuscrit accepté : Few-electron quantum dots in InGaAs quantum wells: Role of fluctuations (PDF, 638 Kio)
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| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.3574540 |
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| Auteur | Rechercher : Granger, G.1; Rechercher : Studenikin, S. A.1; Rechercher : Kam, A.1; Rechercher : Sachrajda, A. S.1; Rechercher : Poole, P. J.1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Résumé | We study the electron transport properties of gated quantum dots formed in InGaAs/InP quantum well structures grown by chemical-beam epitaxy on prepatterned substrates. Quantum dots form directly underneath narrow gates due to potential fluctuations. We measure the Coulomb-blockade diamonds in the few-electron regime of a single dot and observe photon-assisted tunneling peaks under microwave irradiation. A singlet-triplet transition at high magnetic field and Coulomb-blockade in the quantum Hall regime are also observed. |
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| Date de publication | 2011-04-01 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 17696151 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 0a72b3b1-1ee6-40bb-8853-06ecc881412a |
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| Enregistrement créé | 2011-04-05 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-21 |
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