| Auteur | Rechercher : Coleridge, P. T.1; Rechercher : Feng, Y.1; Rechercher : Lafontaine, H.1; Rechercher : Sachrajda, A. S.1; Rechercher : Williams, R.1; Rechercher : Zawadzki, P.1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Conférence | Conference On Optoelectronic And Microelectronic Materials And Devices, December 8-11, 1996, Canberra, Australia |
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| Résumé | A brief survey is given of ways SiGe alloys can be integrated into microelectronic devices. The growth of a series of modulation doped p-type strained Si.₈₈Ge.₁₂ quantum wells is described and the results of characterisation using low temperature magnetotransport presented. Comments are also made about the appearance, in some samples, of an insulating phase at low temperatures. |
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| Date de publication | 1996-12 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Numéro NPARC | 12328055 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 0d6ece8c-908a-48b8-8da1-a2f8cd7e83ca |
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| Enregistrement créé | 2009-09-10 |
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| Enregistrement modifié | 2020-03-20 |
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