On free-exciton behavior in molecular-beam epitaxially grown Si₁₋ₓGeₓ quantum wells
On free-exciton behavior in molecular-beam epitaxially grown Si₁₋ₓGeₓ quantum wells
| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1116/1.586820 |
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| Format | Texte, Article |
| Date de publication | 1993-05 |
| Dans | |
| Langue | anglais |
| Publications évaluées par des pairs | Oui |
| Numéro du CNRC | NRC-INMS-1156 |
| Numéro NPARC | 8899837 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 1116b49f-edff-4bd8-90d1-3a5e601720b8 |
| Enregistrement créé | 2009-04-22 |
| Enregistrement modifié | 2020-04-24 |
- Date de modification :