On the breakdown of layer-by-layer growth and the spontaneous nucleation of misfit dislocations in molecular-beam epitaxially grown GeSi/Si
On the breakdown of layer-by-layer growth and the spontaneous nucleation of misfit dislocations in molecular-beam epitaxially grown GeSi/Si
| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1116/1.586730 |
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| Format | Texte, Article |
| Date de publication | 1993 |
| Dans | |
| Langue | anglais |
| Numéro du CNRC | 1159 |
| Numéro NPARC | 8899140 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 1196e1cb-c1cb-473b-b8cd-471648d1601d |
| Enregistrement créé | 2009-04-22 |
| Enregistrement modifié | 2020-04-24 |
- Date de modification :