The origin of switching noise in GaAs/AlGaAs lateral gated devices

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1016/j.physe.2006.03.118
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Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Résumé
Date de publication
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC12744657
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Identificateur de l’enregistrement14ed46b9-c16b-4129-82e1-f7810baa7545
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2023-06-23
Date de modification :