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Force modulation of tunnel gaps in metal oxide memristive nanoswitches

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.3227651
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Technologies de sécurité et de rupture
FormatTexte, Article
Résumé
Electron tunneling plays a key role in computing devices. Tunneling is, however, notoriously difficult to characterize inside real device structures. Using pressure modulated conductance microscopy, we demonstrate in situ angstrom-scale tuning and estimation of tunnel gaps with ∼10 nm lateral resolution. By modulating tunnel gaps in Pt/TiOx/Pt memristive oxide nanoswitches, we establish that these devices switch via 2–9 Å modification of the tunnel gap.
Date de publication
Maison d’éditionAIP
Dans
  • Applied Physics Letters 95, nº 11, 113503.
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC23004908
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Identificateur de l’enregistrement16e811c2-be54-41a5-bfd1-64fe12cf3d6c
Enregistrement créé2019-01-21
Enregistrement modifié2020-04-16
Date de modification :