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A comparison of indium migration in the MBE growth of SQW InGaAs/GaAs/AlGaAs lasers on patterned substrates using As2 and As4

Par Conseil national de recherches du Canada

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Affiliation
  1. Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
  • 15th IEEE International Semiconductor Laser Conference (octobre 1996).
Langueanglais
Numéro NPARC12327310
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Identificateur de l’enregistrement198f15a3-3836-44b2-be82-a0c2a94dfff4
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2020-03-20
Date de modification :