A comparison of indium migration in the MBE growth of SQW InGaAs/GaAs/AlGaAs lasers on patterned substrates using As2 and As4
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Affiliation |
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Format | Texte, Article |
Date de publication | 1996-10 |
Dans | |
Langue | anglais |
Numéro NPARC | 12327310 |
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Identificateur de l’enregistrement | 198f15a3-3836-44b2-be82-a0c2a94dfff4 |
Enregistrement créé | 2009-09-10 |
Enregistrement modifié | 2020-03-20 |
- Date de modification :