DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.4886598 |
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Auteur | Rechercher : Mala, S. A.; Rechercher : Tsybeskov, L.; Rechercher : Lockwood, D. J.1; Rechercher : Wu, X.2; Rechercher : Baribeau, J.-M.2 |
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Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Science des mesures et étalons
- Conseil national de recherches du Canada. Technologies de l'information et des communications
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Format | Texte, Article |
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Sujet | Germanium; Phonons; Raman spectra; Raman scattering; Thermal conductivity |
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Résumé | We present a quantitative analysis of Raman scattering in various Si/Si1-xGex multilayered nanostructures with well-defined Ge composition (x) and layer thicknesses. Using Raman and transmission electron microscopy data, we discuss and model Si/SiGe intermixing and strain. By analyzing Stokes and anti-Stokes Raman signals, we calculate temperature and discuss heat dissipation in the samples under intense laser illumination. |
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Date de publication | 2014-07-02 |
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Dans | |
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Langue | anglais |
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Publications évaluées par des pairs | Oui |
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Numéro NPARC | 21272773 |
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Identificateur de l’enregistrement | 20665cc4-b9c8-4b5b-a19c-1a5e81424733 |
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Enregistrement créé | 2014-12-03 |
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Enregistrement modifié | 2020-04-22 |
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