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The Ammonia-MBE Approach for High Electron Mobility in GaN Epilayers and AlGaN/GaN HFETs

Par Conseil national de recherches du Canada

AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Conférence199th ECS Meeting, Washington, D.C., USA
Date de publication
Dans
  • III-Nitride Based Semiconductor Electronics and Optical Devices and Thirty-fourth State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXIV), proceedings of the International Symposia (2001) : 19–35.
Série
  • Proceedings (Electrochemical Society) 2001-1.
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC12328641
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Identificateur de l’enregistrement21223bc5-b575-4b7a-9d85-9497ccbfcb7b
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2020-03-27
Date de modification :