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Investigations of low-frequency noise of GaN based heterostructure field-effect transistors

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1049/el:20030548
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : 2; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
  2. Conseil national de recherches du Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
FormatTexte, Article
Résumé
The low-frequency noise of AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors (HFETs) with different Al fraction of the AlGaN layer was measured and characterised. The DC characteristics of AlGaN/GaN HFETs with higher Al fraction is better. However, the noise performance is poorer owing to the large lattice mismatch with higher Al fraction in the AlGaN layer. The pure flicker noise and lower noise power density can be obtained by the smaller Al fraction in the AlGaN layer of AlGaN/GaN HFETs.
Date de publication
Dans
  • Electronics Letters 39, nº 11 (2003) : 877–878.
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC12744266
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Identificateur de l’enregistrement23c94287-d437-4063-99c8-1cc4d9532b21
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2021-05-10
Date de modification :