| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1016/S1350-4495(97)00006-6 |
|---|
| Auteur | Rechercher : Shen, W.Z.; Rechercher : Perera, A.G.U.; Rechercher : Gamage, S.K.; Rechercher : Yuan, H.X.; Rechercher : Liu, H.C.1; Rechercher : Buchanan, M.1; Rechercher : Schaff, W.J. |
|---|
| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
|
|---|
| Format | Texte, Article |
|---|
| Résumé | We report a spectroscopic study of absorption and photoconductivity in GaAs homojunction interfacial workfunction internal photoemission (HIWIP) far-infrared (FIR) detectors utilizing molecular beam epitaxy (MBE) grown multilayer (p+−p−−p+−p−) structures. Strong FIR (50–200 μm) free carrier absorption has been observed and analyzed for a p+ GaAs thin film, revealing the suitability for FIR detection. The basic physical mechanism of free carrier absorption in the HIWIP FIR detectors has been determined to be an acoustic phonon-emission assisted process. A simple recombination model is proposed to account for the bias dependence of the responsivity and the saturation behavior. Using the measured responsivity and dark current data, detectivity (Dλ*) of the FIR detectors has also been estimated. |
|---|
| Date de publication | 1997-01-06 |
|---|
| Dans | |
|---|
| Langue | anglais |
|---|
| Publications évaluées par des pairs | Oui |
|---|
| Numéro NPARC | 12339182 |
|---|
| Exporter la notice | Exporter en format RIS |
|---|
| Signaler une correction | Signaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet) |
|---|
| Identificateur de l’enregistrement | 2a2bf4a7-7c2f-4033-9602-95a52a1b0ce3 |
|---|
| Enregistrement créé | 2009-09-11 |
|---|
| Enregistrement modifié | 2020-03-20 |
|---|
