Sélection de la langue

Gouvernement du Canada / Government of Canada

Recherche

Crystallinity, order, the thin-film silicon continuum, and the spectral dependence of the refractive index in thin silicon films grown through ultra-high-vacuum evaporation for a range of growth temperatures

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2021.120657
AuteurRechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 2; Rechercher : 1; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Centre de recherche en métrologie
  2. Conseil national de recherches du Canada. Électronique et photonique avancées
Bailleur de fondsRechercher : Mitacs; Rechercher : Natural Sciences and Engineering Research Council of Canada
FormatTexte, Article
Sujetcrystallinity; order; thin-film silicon continuum; ultra-high-vacuum evaporation; growth temperature
Résumé
Using ultra-high-vacuum evaporation, thin-films of silicon were grown. This paper starts with a placement of our thin-films into the overall thin-film silicon continuum. Then, our thin-film’s Raman spectra are examined. In particular, two short-range order Raman related measures, namely the breadth and position of the Raman spectrum’s transverse-optic-peak, and an intermediate-range order Raman related measure, namely the ratio of the integrated transverse-acoustic and transverse-optic-peak intensities, are plotted as functions of the growth temperature. We then correlate these changes found in the nature of the order found within our thin-films of silicon with the changes observed in the spectral dependence of the refractive index, focusing on the maximum of the refractive index over the spectral range under consideration in this analysis. We find that the maximum of the refractive index increases in response to increased ordering. Finally, the potential device implications of these results are explored.
Date de publication
Maison d’éditionElsevier
Dans
  • Journal of Non-Crystalline Solids 559, nº C, 120657 (1 mai 2021).
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
IdentificateurS0022309321000168
Exporter la noticeExporter en format RIS
Signaler une correctionSignaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet)
Identificateur de l’enregistrement2bdfbbe9-fd4f-4cf6-893c-ab85c6524202
Enregistrement créé2023-01-09
Enregistrement modifié2023-01-09
Date de modification :