Degradation and recovery of SiGe HBTs following radiation and hot-carrier stressing

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1016/j.sse.2004.05.033
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 2; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
  2. Conseil national de recherches du Canada. Institut des étalons nationaux de mesure du CNRC
FormatTexte, Article
ConférenceInternational Semiconductor Device Research Symposium 2003 (ISDRS '03), 10-12 December 2003, Washington, D.C., USA
Date de publication
Dans
Langueanglais
Numéro du CNRCNRC-INMS-784
Numéro NPARC8899116
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Identificateur de l’enregistrement2ffbd289-4f54-421c-939c-dfbcba30b8d5
Enregistrement créé2009-04-22
Enregistrement modifié2020-04-17
Date de modification :