Photoluminescence studies of Si (100) doped with low-energy (1000 eV) As+ ions during molecular beam epitaxy
Photoluminescence studies of Si (100) doped with low-energy (1000 eV) As+ ions during molecular beam epitaxy
| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.102303 |
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| Format | Texte, Article |
| Date de publication | 1989 |
| Dans | |
| Langue | anglais |
| Numéro du CNRC | NRC-INMS-1131 |
| Numéro NPARC | 8898518 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 328762bc-f7b0-4867-b518-ba623d27cf5e |
| Enregistrement créé | 2009-04-22 |
| Enregistrement modifié | 2020-03-17 |
- Date de modification :